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Si4943CDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
8
V GS = 10 V thr u 5 V
24
6
V GS = 4 V
1 8
4
12
2
T C = 125 °C
6
0
V GS = 2 V
V GS = 3 V
0
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
0.0 8
0.06
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
3000
2400
1 8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.04
1200
0.02
0.00
V GS = 10 V
600
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 8 .3 A
1.5
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V , I D = 8 .3 A
8
1.3
V DS = 10 V
6
4
V DS = 16 V
1.1
V GS = 4.5 V, I D = 6.4 A
0.9
2
0
0.7
0
10
20
30
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69985
S09-0704-Rev. B, 27-Apr-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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